Номер детали производителя : | CSICD10-650 TR13 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Central Semiconductor | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | CSICD10-650 TR13(1).pdfCSICD10-650 TR13(2).pdfCSICD10-650 TR13(3).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | CSICD10-650 TR13 |
---|---|
производитель | Central Semiconductor |
Описание | DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | CSICD10-650 TR13(1).pdfCSICD10-650 TR13(2).pdfCSICD10-650 TR13(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 10 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | DPAK |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 125 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 10A |
Емкостной @ В.Р., F | 28pF @ 600V, 1MHz |
INTERFACE IP CSIX LEVEL 1 ORCA 4
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK
8 CHANNEL 0(4)-20 MA INPUT MOD
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A DPAK
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A DPAK
8 CHAN 0(4)-20 MA INPUT MOD 100
8 CHAN 10 V INPUT MOD 100
8 CHANNEL 10 V INPUT MODULE
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK